LPCVD 镀膜机

设备亮点 1.成热的高产能工艺、双模温度控制技术、薄膜硅保护技术:
2.具备多种镀膜技术：多层复合膜，掺杂多晶硅技术;
3.专利快速降温炉体：最新专利技术使炉体温度快速降到所需温度，降温速率提升25%以上，明显提升炉管内温度均匀性；
4.快速自适应压力闭环控制技术；
5.架构完整，性能突出的MES/CCRM系统；
6.一体化工控机+模块化工艺控制软件；
7.全面的停电安全处理和法兰水异常保护。

产品应用

适用于半导体和光伏领域，针对于光伏领域TOPCon工艺电池，LPCVD设备可一站式完成隧穿氧化层/Poly层的制备。热氧和淀积Poly层两个工艺合二为一能够大幅度提高产能，同时兼容i/d -Poly生长工艺。

产品参数

新项目	技巧的指标
成胶玩法	SiOx, i/d-Poly-Si
装片尽寸	斜面装片的方法：2880片/批(182mm),2200片/批(210mm)
膜厚竖直性	Si0x均匀性：厚度1-3nm可调，精度0.1nm,用抛光片测试SiOx厚度； Poly均匀性：厚度50-200nm可调，精度1nm,用抛光片测试Poly厚度，片内：≤4%,;片间≤4%;批间≤3%(>100nm时)
UP-TIME	≥95%
事情温度超范围	400-750℃
温暖操作	6点控温，内外线双模调整
降温原则	重新斜率提温及很快恒温恒湿的功能
加温手段	最薪申请技术性，6温区分开段保持主动权降低温度的炉体
恒温性比较好区控制精度及大小	±1℃/2800mm(550-700℃)
单点气温稳定可靠度	1±℃/6H
增温时间段	RT→750℃≤45min
降低温度速度	≥5℃/min
温差调整	双模准确保持
装置重力高压气度	<3Pa
体统漏气率	停泵关阀后负压升率<2Pa/min
工作压力掌握的方法	短时间修正全自然闭环控制
加工的控制式	加工的时候全主动抑制，诸多安全性直营警报器
人与机器虚拟现实技术接面	LCD体现、触模操作使用、工艺技术编缉、在线播放监控设备、权限设置工作、队组工作、组网作用
MES/CCRM	兼备