PECVD

的产品特征 1.成熟的高产能工艺、双模温度控制技术、薄膜硅保护技术；
2.石墨舟电极技术：前电极面接触，可定期更换清洗电极块，尾电极炉管外可调，加大电极尺寸及优化电极材料，良好解决高频报警问题；
3.快速降温炉体：最新专利技术使炉体温度快速降到所需温度，降温速率提升25%以上，明显提升炉管内温度均匀性；
4.专利储舟位并行散热方式：提升降温效果，缩短降温时间15%以上，同时避开底部从操作台前面进气，提高操作台内部洁净度；
5.快速自适应压力闭环控制技术；
6.等离子放电场检测技术；
7.装卸片防撞舟技术；
8.一体化工控机+模块化工艺控制软件；
9.全面的停电安全处理和法兰水异常保护。

产品应用

在硅片外表能淀积上重量约为75-140nm的减折射氮化硅膜(SixNy)，一并再生利用在淀积流程中产生了的特异性H+铁离子，对硅片外表能和组织结构去钝化处置。在运用削减光折射的一并，也从而提高了硅片的少子平均寿命，从而可以运用在晶胞硅干锂电的转成利用率，包括用在PERC/TOPCon干锂电正背影氮化硅膜滋生。

产品参数

项目流程	技术设备的指标
涂膜那个种类	AlO,SiO,SiON,SiN,SiC
装片量	768片/批(182mm),616片/批(210mm),500片/批(230mm)
阳极三氧化二铝膜厚光滑性	片内≤6%片间≤6%批间≤5%(182片)
防氧化铝粉光折射率	1.65(±0.05)
UP-TIME	≥98%
运行摄氏度超范围	100~600℃
温差管理	9点控温，外内双模管理
变多策略	重新斜率提温及尽快常温基本功能
减温原则	多种知识产权技艺，9温鉴别段调控自主变凉炉体
恒湿区要求及长宽高	±2°C/3200mm(500°C)
单点温稳定性度	<±1°C/4h(500°C)
加热事件	RT→450℃≤45min
热度把握	双模精确度把控好
操作系统极限的高压气度	<3Pa
机系统漏气率	停泵关阀后压强升率<1Pa/min
负荷调整方式	飞速调控全自然闭环控制
新工艺设定方案	工艺技术过程中全自己有效控制，重量应急连索报警功能
人与机器交互方式用户界面	LCD凸显、触摸式操作方法、艺小编、在线平台监视器、权限控制维护方法、队组维护方法、组网技能
MES/CCRM	有