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刻蚀机 ET12-XS2E2S1A

刻蚀机 ET12-XS2E2S1A

类产品基本特征 1.利用位置、速度可控的摆臂喷洒化学液，可以有效的提高刻蚀均匀性；
2.分层式反应腔体设计，可以在同一腔体中喷洒多种化学液，并能有效回收，节约化液；
3.叠层控制，占地面积小，最多可配置4个刻蚀单元。

产品应用

应用范围：

有机物半导体设备、公率元器件、MEMS、最新芯片封装、微波射频集合电路设计。


产品参数

片盒总数量
2CS&2LP
配值4 Etch unit
wafer 的类型圆片
wafer 尺寸（mm）50-300
产能（WPH）90
化学药液H2O2、强酸碱
衬底材料Si、Glass、Sapphire、GaN、GaAs、SiC、LiTaO3、Li3PO4
适用工艺Wet Etch
干燥模式Spin Dry+N2 Dry


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